氧化亚铜/多孔硅复合材料的制备及其电化学性能

作者：杜冀川; 严达利^*; 夏曙光; 范琳; 李申予

来源：天津师范大学学报（自然科学版）, 2022, 42(04): 17-22.

DOI：10.19638/j.issn1671-1114.20220404

• 氧化亚铜
• 多孔硅
• 沉积时间
• 电化学性能

为研究氧化亚铜/多孔硅(Cu2O/PS)复合材料的制备及其电化学性能，以沉积时间为变量，采用电化学沉积法在p型多孔硅(PS)上沉积不同含量的氧化亚铜，利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)表征Cu2O/PS复合材料样品的形貌和结构，利用电化学工作站进行循环伏安(CV)、恒流充放电(CP)和交流阻抗(IMP)等电化学性能测试，采用BET测试法表征样品的比表面积.结果表明：Cu2O晶粒在多孔硅的孔壁和表层沿(111)和(200)晶面择优生长，随着沉积时间的增加，Cu2O晶粒聚集成珊瑚状.复合材料展现出良好的电化学性能，当充电电流为0.01 mA时，沉积时间为90 min的复合材料样品的比容量为1 149 mF/g，约为多孔硅的26倍.

• 单位
  河北工业大学; 天津师范大学