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摘要
本文采用直流磁控溅射法,在不同基地温度下溅射铁硅合金薄膜,获得低矫顽力软磁薄膜。基底温度升高,薄膜结晶度升高,内应力降低,矫顽力降低,当基底温度高于140℃时,基底中的Si向薄膜中扩散,薄膜磁矩被稀释,矫顽力升高,饱和磁化强度降低。VSM测试结果表明,薄膜矫顽力随基底温度升高先减小后增大,在基底温度140℃时溅射的Fe-Si薄膜的软磁性能较好,矫顽力Hc达到最低值1 Oe,饱和磁化强度Ms为716 emu/cm3。初始磁化曲线表明,当外加磁场为20 Oe时,磁化强度为670 emu/cm3,磁化率为421.5。
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