高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器(英文)

作者：邹泽亚; 杨谟华; 刘挺; 赵文伯; 赵红; 罗木昌; 王振

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (01): 20-23.

• 日光盲
• 高温AlN模板
• 背照式探测器
• p-i-n solar-blind
• high temperature AlN template
• back-illuminated photodetector
• p-i-n

第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学