一种基于CMOS工艺的抗辐照A/D转换器

作者：陈良; 刘涛; 雷郎成; 胡永贵; 王育新

来源：微电子学, 2019, 49(04): 447-451.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190043

• 辐射加固
• 总剂量辐射
• 单粒子锁定
• A/D转换器

空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素。A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设备的整体性能。基于标准0.35μm CMOS工艺,设计了一种流水线型14位A/D转换器,从总体架构、关键核心单元、版图等方面进行抗辐照设计。辐照测试结果表明,该A/D转换器的抗总剂量能力达到1.0 kGy(Si),抗单粒子闭锁阈值达到37 MeV·cm2/mg,满足宇航电子系统的应用要求。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所