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摘要
光子探测技术在高能物理、天体物理学、医学成像等学科领域中扮演着重要的角色。特别是在辐射探测应用中，研究单光子高水平的灵敏探测一直是近几十年以来光电探测器发展的最终目的。硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier,SiPM）技术的发展作为理想固态光子探测器前所未有的尝试，凭借其出色的性能（高增益、低偏置电压、快速时间响应、磁场不敏感等等），吸引着越来越多研究者的关注。本文围绕SiPM的结构原理，回顾、分类、总结了SiPM在结构、性能及应用等方面近年来取得的研究进展。
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光子探测技术在高能物理、天体物理学、医学成像等学科领域中扮演着重要的角色。特别是在辐射探测应用中，研究单光子高水平的灵敏探测一直是近几十年以来光电探测器发展的最终目的。硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier,SiPM）技术的发展作为理想固态光子探测器前所未有的尝试，凭借其出色的性能（高增益、低偏置电压、快速时间响应、磁场不敏感等等），吸引着越来越多研究者的关注。本文围绕SiPM的结构原理，回顾、分类、总结了SiPM在结构、性能及应用等方面近年来取得的研究进展。
