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摘要
基于自旋转移矩的磁性随机存储器（Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM, STTMRAM）具有非易失性、快速读写等优点而有望成为下一代非易失性存储器。尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该技术的研究与应用。本文首先介绍了目前主流的非易失性随机存储器（Non-Volatile Random Access Memory,NVRAM）；然后详细阐述了STT-MRAM的研究现状，最后分析了STT-MRAM在PLC/DCS中的应用优势。
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单位浙江中控研究院有限公司
