抑制剂1,2,4-三氮唑在Cu CMP后清洗中的作用

作者：王亚珍; 张师浩; 檀柏梅^*; 王立华; 田思雨

来源：半导体技术, 2020, 45(11): 886-891.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.11.011

• 抑制剂TAZ
• 颗粒去除
• 电偶腐蚀
• 化学机械抛光(CMP)
• 碱性清洗液

在集成电路多层Cu互连化学机械抛光(CMP)后清洗工艺中,需要去除CMP时Cu表面的生成物和残留物,并保护互连金属Cu与阻挡层金属不被腐蚀。研究了基于FA/OⅡ的碱性清洗液中抑制剂1,2,4-三氮唑(TAZ)对Cu表面磨料颗粒去除及Cu、Co电偶腐蚀的影响,使用扫描电子显微镜(SEM)检测洗清后晶圆的表面形态和颗粒残留,并通过电化学实验研究清洗液中不同浓度的TAZ引起的Cu和Co之间的腐蚀电位差及腐蚀电流的变化。实验结果表明TAZ可以降低Cu表面的接触角,有利于颗粒的去除;含有25 mmol/L TAZ的清洗液去除了Cu表面大部分颗粒;含有20 mmol/L TAZ的清洗液可使Cu和Co之间的腐蚀电位差降低到0.178 V,有效抑制了电偶腐蚀。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学