本发明公开了一种超净高导电性石墨烯透明导电薄膜的叠层转移工艺,以降低层间PMMA光刻胶的残余,提升石墨烯透明导电薄膜的电学性能。采用Cu箔衬底CVD外延制备单层石墨烯,然后进行支撑层石墨烯的PMMA甩胶,接着进行Cu衬底湿法腐蚀,最后直接转移至次层石墨烯上,依次重复,直至得到最终叠层石墨烯。本发明制造的超净高导电性石墨烯透明导电薄膜具有残余PMMA少,导电性好的优点,用于制作高性能太阳能电池、高亮度LED等的透明电极。