本发明公开了一种建立钽电容的分数阶电路模型的方法,包括步骤：1)将传统钽电容模型的主电容C认为具有分数阶特性,设其阻抗为其中α为电容的阶数,0﹤α﹤1；2)考虑电容C的分数阶特性,列写出电路模型的阻抗幅值和寄生电阻(ESR)的表达式；3)采用电容实测的阻抗幅值曲线,使用步骤2)得到的寄生电阻和阻抗表达式,利用最小二乘法进行拟合,确定表达式内各个参数,由于钽电容的分数阶电路模型中的所有参数已确定,故钽电容的分数阶模型已成功建立。本发明方法可以用于预测钽电容的ESR和阻抗幅值。
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