本发明公开了一种有机薄膜晶体管有源层图形化的方法,该方法在已制备完底电极的衬底上,形成有源层,再在有源层上旋涂一层介电材料作为中间缓冲层,通过掩膜版在中间缓冲层上形成图形化金属保护层,采用干氧刻蚀去掉未被金属保护层覆盖的有源层及中间缓冲层,最后将多余的中间缓冲层及金属保护层进行剥离,从而获得已图形化的有源层。本发明无需使用昂贵的光刻机及光刻材料,避免了化学药品对半导体有源层的腐蚀和溶解。具有制作效率高、成本低且图形化效果好的优点。
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