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摘要
本发明提供了一种基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法,属于二维半导体成像技术领域。该基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法,包括：制备二维硒化亚锗单晶；将所二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上,得到二维硒化亚锗纳米片薄层；将所述二维硒化亚锗纳米片薄层制备成二维硒化亚锗两端器件,得到基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件；所述二维硒化亚锗两端器件即为所述二维硒化亚锗光电探测器。本发明通过将二维硒化亚锗纳米片制备为二维硒化亚锗两端器件,替代原来的电荷耦合元件,可以实现尺寸小,利于加工和集成的效果。
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