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摘要
本发明公开了一种具有铟保护层的二硫化铪晶体管及其制备方法,所述晶体管以铟作为保护层,二硫化铪作为沟道。首先,通过机械剥离法使用3M思高胶带从二硫化铪块材上剥离出二硫化铪层状材料；然后,将附着有二硫化铪材料的胶带粘到黏性凝胶膜上,通过光学显微镜观察并选择厚度合适、质地均匀的二维层状材料；接着,将其转移到硅/二氧化硅衬底上；再用热蒸发技术在二维材料表面蒸镀一层铟作为保护层,利用掩膜版蒸镀金属电极,由此制备所述的晶体管。本发明所用材料安全环保,成本低廉,不仅得到了光电性能好的微电子器件,还保护了沟道材料,达到了延长器件寿命的目的。
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