耦合形貌对Si4团簇电子输运影响的第一性原理计算

作者：柳福提; 张淑华; 程晓洪

来源：计算物理, 2018, 35(02): 235-241.

DOI：10.19596/j.cnki.1001-246x.7602

• Si4团簇
• 耦合形貌
• 纳米结点
• 电子输运

运用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的方法,对Si4团簇与Au(100)-3×3两电极以顶位-顶位、顶位-空位、空位-空位三种形貌相连构成的Au-Si4-Au纳米结点的拉伸过程进行第一性原理模拟,计算不同构型纳米结点在不同距离的电导和结合能.讨论耦合形貌、距离对结点电导的影响,结合能的计算表明三种不同耦合形貌结点存在稳定平衡结构,其平衡电导分别为0.71 G0、0.96 G0和2.44 G0,且在-1.2 V1.2 V的电压范围内,三种不同耦合形貌结点稳定结构表现出类似金属的导电特性,其I-V关系都近似为直线.计算结果表明Si4团簇与电极的耦合形貌、两极距离对纳米结点电子输运有重要影响.

• 单位
  宜宾学院; 电子工程学院