ITO负载单原子钇吸附NO和CO的第一性原理研究

作者：曹宇; 吴海龙; 邱辰; 张立志; 王泽瑞; 钟山^*; 周晓龙

来源：原子与分子物理学报, 2024, 41(06): 45-51.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2024.061007

• NO
• CO
• 单原子钇
• 吸附
• 第一性原理
• ITO

基于密度泛函理论，对氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)表面负载单原子Y模型的表面性能进行了第一性原理计算.根据表面能计算结果可知，单原子Y最稳定负载位置为空位(H)，即确定了ITO负载单原子钇(Single-atom Y supported on ITO,Y/ITO)稳定模型.对ITO和Y/ITO表面吸附气体分子(NO和CO)模型的吸附性能进行了第一性原理计算.根据对比ITO和Y/ITO表面的吸附能和态密度计算结果可知，单原子钇负载提高了ITO表面的稳定性和吸附性能.根据对比Y/ITO表面吸附NO和CO气体分子的吸附能和态密度计算结果可知，NO和CO气体分子吸附均为自发行为，过程放热.且NO气体分子更容易吸附在Y/ITO表面，即Y/ITO对NO气体分子更敏感.

• 单位
  梧州学院; 昆明理工大学