P型半导体Cu3SnS4具有较高的空穴浓度、较大的光吸收系数和较宽的带隙值范围,在气敏传感器、染料敏化太阳能电池、热电转换等领域具有极高的应用价值。然而,由于其结构的多样性和较宽的带隙值范围,需要根据实际用途进行优化和调整。综述近年来纳米晶Cu3SnS4的制备和带隙调整方法,对磁控溅射法、溶剂热法、球磨法等工艺制备纳米晶薄膜和粉体,以及利用调控晶体结构和掺杂调整带隙的方法进行总结归纳,对纳米晶Cu3SnS4的研究提出展望。
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