应用于5G的新型高线性度功率放大器设计

作者：姚凤薇

来源：现代电子技术, 2023, 46(22): 5-8.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2023.22.002

• 射频功率放大器
• 高线性度
• 5G
• 分压晶体管电压
• 偏置电路
• LC匹配结构
• IMD3仿真
• ACLR测试

基于三安公司的2μm GaAs HBT工艺，设计一种工作在5G N78频段的高线性功率放大器。为了解决大信号和高温下功率管静态工作点稳定性差的问题，提出一种在传统电流镜结构中添加分压晶体管、负反馈电阻及镇流电阻的新型有源自适应偏置电路，通过调节阻值大小来调节分压晶体管电压，从而达到减小静态工作点的偏移、提高线性度的目的。此外，在功放的末级匹配中添加多LC串联及TANK结构，既对输出匹配网络进行了优化，又抑制了二、三、四阶高次模频率。结果表明：小信号增益大于31.2 dB；输出功率为20 dBm时，IMD3低于-44.46 dBc；输出功率为27.56 dBm时，相邻信道泄漏比小于-37.62 dBc。所提方法具有良好的线性性能。

• 单位
  上海电子信息职业技术学院