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摘要
本申请实施例涉及半导体器件技术领域,特别涉及一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法,该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、氮化物层、钝化层,至少一个位于缓冲层内的掺杂埋层和位于氮化物层上的栅极；源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；氮化物层位于源极和漏极之间,钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层和漏极之间；掺杂埋层的顶面不高于缓冲层的顶面,掺杂埋层的底面不低于缓冲层的底面；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决传统的P型氮化物栅HEMT器件电场集中的问题,并可以更快地吸收单粒子入射后产生的电子和空穴,从而提高器件的击穿电压和烧毁电压。
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