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摘要
本发明涉及微电子器件领域,具体涉及一种迁移率可控的场效应晶体管及其制备方法。一种迁移率可控的场效应晶体管,包括衬底,衬底左上部设有源极区,衬底中上部设有沟道层,衬底右上部设有漏极区；沟道层左侧和右侧分别与源极区和漏极区邻接；源极区、沟道层和漏极区高度相同；源极区上表面设有源电极；漏极区上表面设有漏电极；还包括迁移率可控介质薄膜；迁移率可控介质薄膜设在沟道层上表面,迁移率可控介质薄膜宽度大于沟道层宽度；迁移率可控介质薄膜上表面设有栅极层；栅极层上表面设有栅电极。本发明可对场效应晶体管沟道中的反型层电荷进行调控,从而实现场效应晶体管对载流子迁移率的调控,最终提高了高性能电路的使用效率。
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