深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究

作者：尹雪梅; 师谦; 李斌

来源：电子质量, 2011, (03): 18-20.

• 温度
• 退火效应
• 总剂量效应
• 电离辐射 temperature
• annealing effect
• total dose effect
• ionizing radiation

对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响。

• 单位
  吉林大学珠海学院