氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

作者：李旺; 唐鹿; 杜江萍; 薛飞; 辛增念; 罗哲; 刘石勇

来源：发光学报, 2016, 37(12): 1496-1501.

• 低压化学气相沉积
• ZnO薄膜
• 光学性能
• 载流子浓度
• 霍尔迁移率

采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明:在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。

• 单位
  江西科技学院; 浙江正泰太阳能科技有限公司