增强现实、虚拟现实等新兴领域的发展，对显示技术的分辨率提出了更高的要求。对量子点发光二极管（QLED）而言，目前量子点薄膜的像素化主要通过喷墨打印、纳米压印和光刻实现。其中，纳米压印具有超高分辨率、高产量、低成本的优势，适合亚微米级图案化。通过对目前的电场驱动纳米像元QLED器件图案化技术进行对比和总结，分析纳米压印进行QLED器件图案化的问题与可行性，并讨论超高分辨率QLED阵列的制备方案。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
