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摘要
本发明公开了具有线性度增强的氮化镓晶体管器件,自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层,势垒层上方设有漏电极和栅电极,在沟道层与势垒层的界面中形成二维电子气；势垒层和沟道层一端设置有凹槽,凹槽底端位于沟道层中上部,凹槽顶端高于势垒层上表面,凹槽中设置有源电极Ⅰ、源电极Ⅱ和源电极Ⅲ,源电极Ⅰ、源电极Ⅱ和源电极Ⅲ和二维电子气的接触分别为欧姆接触、肖特基接触和欧姆接触。本发明还公开了该氮化镓晶体管器件的制备方法。通过在源极引入正向和反向两个肖特基势垒,使其与二维电子气形成肖特基二极管,使得在一定的V-(gs)范围内源极串联电阻基本不变,实测跨导g-m变平坦,从而稳定栅对沟道电流的控制能力。
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