摘要
g-C3N4是一种新型的可见光催化材料,近年来得到了快速的发展。虽然g-C3N4具备吸收可见光的能力,化学稳定性好,但其存在狭窄的可见光响应范围,电导率低,比表面积小等问题,很大程度上限制了其应用。ZnO是一种N型半导体宽禁带氧化物,具有制备容易、操作简单、原料易得、无毒无害等特点。利用不同的方法,对其进行复合掺杂处理,制备了不同含量的Zn O/g-C3N4二元复合材料,扩大了光响应范围,降低了禁带宽度,促进了电子-空穴对的分离,大大增强了光催化效果。主要对ZnO/g-C3N4复合材料的制备方法进行研究。
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