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摘要
本发明公开了一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法,该方法包括：提供第一衬底；在第一衬底表面生长外延结构；在p-GaN层远离AlGaN势垒层一侧的表面刻蚀第一凹槽,并沉积SiN层；在SiN层远离p-GaN层一侧的表面键合第二衬底；翻转样品后,刻蚀掉第一衬底、GaN缓冲层及GaN层,并在AlGaN势垒层的第一预设区域、第二预设区域制作源、漏电极；在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面刻蚀第二凹槽,并制作栅电极；在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面生长SiN保护层,并在SiN保护层上光刻金属互联层开孔区后引出电极。该方法能够改善空穴的迁移率,进而使制得的p沟道GaN器件的性能得以提升。
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