碳化硅非线性导电特性调控技术的研究

作者：宁叔帆; 于开坤; 郭磊; 李鸿岩; 陈维; 陈寿田

来源：绝缘材料, 2005, (6): 18-22.

DOI：10.3969/j.issn.1009-9239.2005.06.005

• SiC
• 电阻率
• 非线性系数
• 起晕电压

研究了 SiC非线性导电特性的影响因素,提出了调控其防电晕涂层非线性导电特性及起晕电压的新方法.结果表明通过控制 SiC微粉表面 SiO2含量、金属杂质含量、晶体中 C/Si元素比、掺入β -SiC、改变 SiC颗粒粒径及混合不同粒径 SiC等手段,可有效调控 SiC防电晕涂层的非线性导电特性,从而显著提高电机防电晕涂层的起晕电压.

• 单位
  西安交通大学; 电力设备电气绝缘国家重点实验室; 西安电子科技大学