摘要
表征了MoS(2(1-x))Se2x样品的Raman光谱和光致发光(PL)谱性质,验证了MoS(2(1-x))Se2x基于组分和厚度的带隙可调特性,并基于Raman光谱分析了单层及多层样品由于引入Se原子引起的结构变化及光谱特性。此外,受益于单层材料的直接带隙的电子结构,在405 nm激光波长、112.1μW/cm2功率密度光照和0.5 V偏压的条件下,单层MoS(2(1-x))Se2x光电探测器响应度最大约为29 A/W,探测率超过4.0×1010 Jones,电流开关比约为102。单层MoS(2(1-x))Se2x光电晶体管展示出的优异光电探测性能显示出其在未来光电领域的巨大潜力。
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