摘要

采用飞秒脉冲的饱和吸收光谱方法研究了GaAs AlGaAs多量子阱中电子自旋的注入和弛豫特性 ,测得电子自旋极化弛豫时间为 80± 1 0ps.说明了电子自旋 轨道耦合相互作用引起局域磁场的随机化 ,是导致电子的自旋极化弛豫的主要机理

  • 单位
    光电材料与技术国家重点实验室; 中山大学