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摘要
CMOS电路场氧区对辐照高度敏感,场寄生管的阈值电压易在辐照下产生漂移并导通,从而引起电路漏电流增大。为有效地降低辐照后场区正电荷累积,提高场区抗辐照性能,使辐照后电路漏电流增加值降低,采用二氧化硅与氮化硅复合场介质制造工艺,通过比较新工艺与常规场氧加固工艺条件下电路漏电流的变化来对比两者的抗电离辐照性能,并给出了试验数据。研究结果表明,采用二氧化硅与氮化硅复合场介质能够有效的抑制辐照引起的漏电流增大,提高场区抗辐照性能,进而提高整体电路的抗辐照性能。
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单位中国电子科技集团公司
