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摘要
本发明公开了一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法,方法包括：获取外延基片；对外延基片进行电隔离；在帽层上光刻出源、漏电极区域,利用二次外延技术和图形化刻蚀技术在源、漏电极区域生长欧姆金属形成源电极、漏电极；在源电极、漏电极和帽层上生长钝化层；在钝化层上光刻出凹槽区域,刻蚀凹槽区域内的钝化层直至预设位置形成凹槽；在凹槽内生长栅介质层；在钝化层上和凹槽上方光刻出栅电极区域,在栅电极区域内的钝化层上和凹槽内的栅介质层上生长栅金属形成T型栅电极；刻蚀源电极、漏电极上的钝化层直至源电极、漏电极,分别在源电极、漏电极和T型栅电极上生长互联电极。本发明降低了器件的功耗,提高了器件的功率特性。
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