基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法及半导体结构

作者：贾仁需; 于淼; 余建刚; 王卓

来源：2019-10-14, 中国, ZL201910975090.9.

本发明公开了一种基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法,包括：选取碳化硅衬底层；在所述碳化硅衬底层表面上制备(In-xGa-(1-x))-2O-3缓冲层；在所述(In-xGa-(1-x))-2O-3缓冲层表面上制备Ga-2O-3薄膜层。本发明所提供的基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法首先在碳化硅衬底层表面形成(In-xGa-(1-x))-2O-3缓冲层,从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷,然后又在(In-xGa-(1-x))-2O-3缓冲层表面形成Ga-2O-3薄膜层,从而提高后续生长的Ga-2O-3薄膜层的结晶度,最终实现了在碳化硅衬底层上制备高结晶的Ga-2O-3薄膜材料的结构。

• 单位
  西安电子科技大学