基于PECVD的TSV深孔绝缘层沉积工艺优化

作者：唐伟; 王文杰^*; 吴道伟; 李宝霞; 杜亚飞; 赵鸿

来源：微纳电子技术, 2020, 57(06): 492-497.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.06.010

• 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
• 硅通孔(TSV)
• 二氧化硅(SiO2)
• 覆盖率
• 沉积速率

研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术。分析了低频功率、腔室压力和分步沉积次数对TSV深孔SiO2膜层覆盖率的影响。实验结果表明,深孔内底部的膜层覆盖率最高,孔内拐角处的膜层覆盖率最低。在低频功率为300 W、腔室压力为1.6 Torr (1 Torr=133.3 Pa)、分步沉积8次时,孔内最薄处的拐角覆盖率由2.23%提高到了4.88%,有效提高了膜层的覆盖率。最后,对膜层的击穿电压、漏电流、表面应力和沉积速率进行了检测,结果表明在保证膜层电性能基础上,将深孔SiO2薄膜的沉积速率提高到了480.075 nm/min。

• 单位
  西安科技大学; 西安微电子技术研究所