本发明公开了二硒化铂薄膜/n-型锗异质结近红外光探测器及其制备方法,其是以n-型锗基底为光电探测器的基区,在n-型锗基底的下表面设置n-型锗基底电极,上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化铂接触电极,在二硒化铂接触电极上铺设二硒化铂薄膜,二硒化铂薄膜一部分与二硒化铂接触电极形成欧姆接触,剩余部分与n-型锗基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明的光电探测器工艺简单、成本低廉、响应度高、响应速度快。
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