一种周期栅结构的p-GaN常闭型功率器件

作者：王洪; 高升; 谢子敬

来源：2021-10-28, 中国, ZL202111264534.1.

本发明公开了一种周期栅结构的p-GaN常闭型功率器件。所述器件自下而上包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层以及势垒层；势垒层上方设置有源极和漏极,源极和漏极之间设置有形成于势垒层上的周期性p-GaN/InGaN层,栅极设置于周期性p-GaN/InGaN层上。周期性p-GaN/InGaN层自下至上周期分布有多层低铟组分的In-bGa-(1-b)N层和高铟组分的In-aGa-(1-a)N层,且相邻的低铟组分的In-bGa-(1-b)N层和高铟组分的In-aGa-(1-a)N层之间均设置有p-GaN层。本发明可以有效地提高p-GaN中Mg的离化效率,因此在保证栅下二维电子气耗尽的基础上可以降低Mg的掺杂浓度。

• 单位
  华南理工大学