AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展

作者：王敬蕊; 叶志镇; 赵炳辉; 朱丽萍; 唐海平

来源：真空科学与技术学报, 2006, (04): 308-312.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2006.04.012

• Si基GaN
• AlN
• 综述
• 应力
• 位错 GaN
• Summarize
• Stress
• Dislocation

AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。

• 单位
  硅材料国家重点实验室