缓蚀剂1,2,4-三唑在铜CMP过程中的作用机理

作者：李静; 贺庆强; 王同庆

来源：摩擦学学报, 2017, 37(03): 333-339.

DOI：10.16078/j.tribology.2017.03.008

• CMP
• 化学反应活化能
• 1,2,4-三唑

基于静态腐蚀试验和Arrhenius公式,探讨了缓蚀剂1,2,4-三唑在铜晶圆表面的吸附机制,分析了其对铜晶圆表面化学反应活化能的影响;结合CMP试验,阐释了BTA和1,2,4-三唑两种缓蚀剂对CMP材料去除速率的影响.结果表明:在酸性抛光液中,缓蚀剂1,2,4-三唑主要存在两种缓蚀机制:一是在铜表面形成吸附膜Cu:(1,2,4-TAH)ads,二是形成聚合物膜Cu(1,2,4-TA)2.CMP过程中化学反应活化能的降低量不随抛光液中1,2,4-三唑的含量而变化.但是相对于BTA,使用含有1,2,4-三唑的抛光液时CMP过程中晶圆表面的化学反应活化能降低量较大,表明机械促进化学作用较强.本研究结果为CMP过程中抛光液的优化提供了理论支撑.

• 单位
  摩擦学国家重点实验室; 机电工程学院; 清华大学; 中国石油大学（华东）