摘要

运用椭偏技术和分数维空间方法 ,对Si_SiO2 模型考察了表面氧化层的存在对从实验测得的光谱中确定Si临界点跃迁参数的影响 .计算结果表明 ,表面氧化层效应使Si的介电谱发生畸变 ,由此得到的临界点跃迁参数较真值会有一个偏移 :振幅与维度值较小 ,寿命线宽较大 ,并且这种影响随氧化层厚度的增加而加强 .但禁带能受表面氧化层效应的影响却很小 ,可忽略不计