无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管

作者：岳兰; 董泽刚; 孟繁新^*

来源：半导体技术, 2019, 44(11): 857-862.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.11.006

• 薄膜晶体管
• 溶液法
• 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)
• 介质层厚度
• 电学稳定性

基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-Al-Zn-O(IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型薄膜晶体管(TFT),探究了PMMA厚度对IAZO TFT电学特性和电学稳定性的影响。结果表明,具备较薄PMMA介质层的TFT呈现出更优越的工作特性(饱和迁移率大于20 cm2·V-1·s-1,电流开关比高于104),然而随着介质层厚度的减薄,经过疲劳测试后的器件电学稳定性却明显退化。此外,有机PMMA介质层(厚度390 nm)叠加于无机IAZO沟道层有一定的增透效果:IAZO/PMMA双层薄膜在可见光区(波长400～700 nm)的平均透过率(95.0%)高于单层IAZO的平均透过率(93.0%),表明所选用的IAZO和PMMA材料在制备全透明器件方面具备一定的应用潜力。

• 单位
  贵州民族大学