多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究

作者：王硕; 邓礼松; 贾佳; 苑进社^*

来源：重庆师范大学学报(自然科学版), 2019, 36(01): 85-88.

• GaN多量子阱
• 变温光致发光谱
• 发光机制

【目的】研究金属有机物气相外延制备的多量子阱结构GaN材料的变温光致发光谱,探讨多量子阱结构GaN的发光机制。【方法】对样品进行变温光致发光谱测试,从发光强度和发光峰位两个角度研究样品的发光机制。【结果】在10～300K温度范围内光致发光谱共有4个发光峰,温度为10K时观察到的发光峰峰值波长分别位于355,369和532nm,100K时出现峰值波长为361nm的新发光峰。【结论】分析认为位于355,361,369和532nm的多峰发光结构分别与激发光源、激子发光、带边发光、量子阱发光和黄带发光相关。361nm附近带边发光光子能量与温度的变化规律与Vanshni经验公式吻合,369nm附近量子阱发光峰峰位随温度变化呈"S"型。

• 单位
  电子工程学院; 重庆师范大学