CVD制备Bi2Se3纳米片薄膜及热电性能研究

作者：陈上峰; 李爽; 王凯; 赵国财; 仲德晗; 孙乃坤^*

来源：沈阳理工大学学报, 2019, 38(02): 89-94.

• CVD
• Bi2Se3薄膜
• 热电性能

采用化学气相沉积法(CVD)在云母基片上制备了由高结晶度的纳米片组成的Bi2Se3薄膜。系统研究了基片不同温区、沉积时间及补偿Se对薄膜结构、形貌及热电性能的影响。研究结果表明,在加热温度为520℃、加热时间为30min条件下制备出了由三角形纳米片组成的Bi2Se3薄膜,纳米片边长为10μm,薄膜厚度为1.25μm。在室温时,Bi2Se3薄膜的电导率为0.9S/cm,seebeck系数为-77.8μV/K。

• 单位
  沈阳理工大学