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摘要
面向极端条件下原位压力测量技术的需求，设计了一种光纤法珀式碳化硅(SiC)高温压力传感器。采用全SiC真空法珀(F-P)腔结构，以最大限度发挥SiC材料优异的耐高温特性。通过用反应离子刻蚀和高温高压键合技术成功制备了全SiC式高温压力传感器，实现高温环境下的原位压力测量。实验结果表明，该传感器能够实现650℃高温环境下6 MPa的压力测量。650℃下传感器的光谱压力灵敏度达到4.05 nm/MPa,温度压力交叉灵敏度为1.09×10-3MPa/℃。研究成果为面向高温环境下压力原位测量的传感器开发提供了思路。
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