掺杂Y_2O_3对ZnO-Bi_2O_3系压敏电阻片性能的影响

作者：王玉平; 马军

来源：电瓷避雷器, 2007, (01): 18-20.

DOI：10.16188/j.isa.1003-8337.2007.01.006

• ZnO压敏电阻片
• Y2O3掺杂
• 电位梯度
• 烧成温度
• 侧面绝缘 ZnO varistor
• Y2O3 doping
• voltage gradient
• sintering temperature
• lateral insulation

掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%(摩尔分数)Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%(摩尔分数)Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。