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摘要
基于高温热压工艺制备不同CaAlSiN3:Eu荧光粉浓度的红色荧光薄膜，与蓝光芯片封装成红膜LED。在环境温度为20℃条件下，采用紫外-可见-近红外光谱分析仪研究红膜LED光色参数随荧光粉浓度和芯片输入功率的变化规律，并进行理论分析，进一步基于有限元仿真FloEFD与红外测温仪研究薄膜温度随荧光粉浓度和芯片输入功率的变化趋势。结果表明：随着荧光粉质量分数的升高，红膜LED光通量先上升后下降，在荧光粉质量分数为6.98%时达到最高(43.5 lm),光转换效率逐渐下降，从41.5%降至35.6%。荧光薄膜中存在不可忽略的发热现象，其温度随着荧光粉浓度升高而升高，在荧光粉质量分数为16.67%时达到最大值132.2℃,比芯片温度高53.6℃。芯片输入功率从2 W升高至4 W时，LED光通量从29.95 lm升高至51.16 lm,色坐标值几乎不变，荧光粉的光转换效率从41.99%降至39.85%,芯片温度从56.2℃升高至91.5℃,荧光薄膜温度从79.6℃升高至125.1℃。
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