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摘要
本发明涉及一种注入增强型SiC#PNM#IGBT器件及其制备方法。该制备方法包括：利用热壁LPCVD工艺在SiC衬底连续生长过渡层、第一漂移层、缓冲层、集电层；利用CMP工艺,去除SiC衬底和过渡层,刻蚀第一漂移层,形成第一沟槽,利用热氧化工艺在第一沟槽淀积氧化层；利用热壁LPCVD工艺在第一漂移层和第一沟槽表面生长第二漂移层；利用离子注入工艺,在第二漂移层形成P型阱区,在P型阱区形成P+接触区和N+发射区；刻蚀第二漂移层,形成第二沟槽,利用热氧化工艺在第二沟槽淀积多晶硅；淀积金属层形成发射极和集电极。本发明在槽栅两侧引入埋氧化层,增强了电导调制效应,降低了导通电阻,并不会导致关断时间明显增大,且在工艺上与现有工艺兼容。
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