PVP与TAZ复配对Cu CMP的吸附缓蚀

作者：马忠臣; 孙鸣; 李梦琦; 杨雪妍; 齐美玲

来源：半导体技术, 2023, 48(04): 308-317.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.04.006

• 复配缓蚀剂
• 粗糙度
• 去除速率
• 吸附
• 化学机械抛光(CMP)
• 密度泛函理论

采用电化学方法、表面表征和量子化学计算研究了在碱性抛光液中聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与1,2,4-三氮唑(TAZ)复配对Cu表面的缓蚀性能，探讨了原子尺度的吸附缓蚀机理。研究表明，PVP与TAZ复配较单独使用具有更好的缓蚀性能，且吸附方式均服从Langmuir吸附等温模型；PVP的反应活性位点主要集中在含有甲基的一端且能量较低，TAZ分子环上氮原子均为反应活性位点且能量很高，均可与Cu原子配位形成吸附中心，从而达到良好的缓蚀效果。PVP与TAZ复配可实现Cu化学机械抛光(CMP)在高去除速率下的低表面粗糙度。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学