摘要
InSe是一种典型层状金属硫化物半导体,在超快光子学器件开发方面具有巨大应用潜力。本文通过混合InSe纳米片和PVA形成InSe-PVA薄膜制备可饱和吸收体。InSe可饱和吸收体表现出明显的非线性吸收特性,非饱和吸收和调制深度分别为37.5%和9.55%。以InSe为锁模器件,在掺铒光纤激光器中产生了传统孤子。中心波长、传统孤子脉宽和脉冲频率分别为1568.73nm、2.06ps和1.731MHz。在泵功率为413m W时,最大平均输出功率为16.4 m W。这是首次以InSe为锁模器件产生的传统孤子激光。实验进一步证明InSe是一种可应用于超光纤激光的优秀非线性吸收材料。
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