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摘要
随着半导体技术的不断创新，硅辐射探测器制备技术也在日益更新、不断发展。概述了常见的带电粒子、X(γ)射线硅辐射探测器的发展状况，并对不同种类的硅辐射探测器的工作原理和功能特性进行了简述，以期为硅辐射探测器的新应用和新型半导体辐射探测器的研制提供思路。
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随着半导体技术的不断创新，硅辐射探测器制备技术也在日益更新、不断发展。概述了常见的带电粒子、X(γ)射线硅辐射探测器的发展状况，并对不同种类的硅辐射探测器的工作原理和功能特性进行了简述，以期为硅辐射探测器的新应用和新型半导体辐射探测器的研制提供思路。
