微细凹槽内无空洞和缝隙缺陷铜填充是集成电路芯片铜布线制造工艺技术需解决的关键问题。采用酸性镀铜工艺，在镀铜硅片上开展了微细凹槽内电沉积铜填充研究；采用正交试验法和单因素实验，分析了电沉积过程中重要因素的影响排序和作用机理。研究结果表明，各影响因素数值的增加均能提高凹槽的填充率，电流密度和加速剂浓度的增加可以提高凹槽的填充速率，而电镀时间和整平剂浓度的增加以及过大的加速剂浓度则会降低填充速率。
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