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摘要
本发明属于太阳电池领域,公开了一种具有PEDOT:PSS/石墨烯/GaAs结构的太阳电池及其制备方法。本发明的太阳电池自下而上的结构依次包括：Au背面电极、GaAs衬底、石墨烯层、空穴传输层、减反射层、介电层和Ag正面电极,所述空穴传输层由PEDOT:PSS制备得到,该空穴传输层,利用PEDOT:PSS材料的高导电率特性和不对称的载流子选择性传输特点,将石墨烯层的空穴引到外电路,提高空穴在石墨烯层的迁移率,提升肖特基结太阳电池间的填充因子,从而显著提高肖特基结太阳电池的光电转换效率,相比于外延生长的空穴传输结构,能使肖特基结太阳电池具有更优良的电导性,且材料易得,成本低廉。
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