磁控溅射制备的氧化钒的椭偏光谱分析

作者：熊昊; 吴志明; 蒋亚东; 魏雄邦; 浦娟

来源：半导体光电, 2008, (06): 888-892.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2008.06.022

• 氧化钒薄膜
• 磁控溅射
• 椭圆偏振法
• 光学参数 vanadium oxide thin films
• magnetron sputtering
• spectroscopic ellipsometry
• optical properties

采用直流反应磁控溅射工艺,在不同的沉积时间条件下(5～100min)制备了以单晶硅为衬底的氧化钒薄膜,用扫描电镜分析了薄膜结构的断面形貌。对氧化钒薄膜建立了椭偏色散模型[1],运用经典振子模型在椭偏仪上拟合并计算薄膜的透射光谱得到理想的拟合效果,发现在300～450nm内其折射率随波长的增加而增大,而在450～700nm内逐渐减小,632.8nm波长下磁控溅射制备的氧化钒薄膜折射率在2.2～2.5。初始沉积薄膜折射率较大,而随着沉积时间的增加,不同厚度的薄膜折射率从2.43到2.24呈现略微减小的趋势。用拟合得到的厚度值来计算出沉积速率,发现沉积速率也逐渐变小。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学