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摘要
阐述利用150mm直径的重掺杂硅抛光片，外延生长N/N+结构的厚层高阻外延层，通过流场结构以及热场结构的设计与实施，并与外延层厚度、电阻率均匀性的交互作用规律相结合，通过傅立叶变换红外线光谱分析仪（FT-IR）、电容-电压测试仪（C-V）等测试设备对外延厚度和电阻率参数进行了分析，得到了一种不均匀性<2%的外延层。结果显示，随着两边的气流的增大，外延层的参考平边厚度也随之增大，而平均厚度则降低了。随着径向温度偏差的降低，外延层的电阻率与厚度不均匀性有显著的提高。采用这种趋势特点，通过对气流场和热场结构的制备，得到了外延层的电阻率和厚度不均匀性的显著改善。
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单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
